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IXFL 82N60P
120
Fig. 7. Input Admittance
160
Fig. 8. Transconductance
110
100
90
T J = 125oC
25oC
- 40oC
140
120
80
70
60
50
40
30
20
10
0
100
80
60
40
20
0
T J = - 40oC
25oC
125oC
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
0
20
40
60
80
100
120
140
250
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
225
200
175
150
125
9
8
7
6
5
V DS = 300V
I D = 41A
I G = 10mA
100
75
50
25
0
T J = 125oC
T J = 25oC
4
3
2
1
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
100,000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1,000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS(on) Limit
25μs
10,000
C iss
C oss
100
100μs
1ms
1,000
100
C rss
10
1
T J = 150oC
T C = 25oC
DC
10ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1000
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V DS - Volts
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